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拉开与AMD距离 英特尔2005年底转向65纳米-资讯开关插座
闽机机械网 2022-11-01 10:38:02
拉开与AM台面板D距离 英特尔2005年底转向65纳米-资讯
芯片巨人英特尔公司日前宣布,其将为位于美国亚利桑纳州钱德勒市的Fab 12投资20亿美元,从而将其从200毫米晶圆厂转换为300毫米晶圆厂。Fab12的转换过程计划将于2005年底全部完成,而这座转换后的芯片工厂将首次生产65纳米制程的处理器。目前Intel Pentium4处理器采用90纳米制程,而65纳米制程可以生产出工作频率更高的处理器。 当转换工作结束之后,新的Fab 12将吊装变成英特尔的第五座300毫米晶圆厂。要知道,5座300毫米晶圆厂提供的的制造能力相当于10座200毫米晶圆厂所能提供的总和。英特尔的另外四座300毫米晶圆厂分别位于美国俄勒冈州的Hillsboro(两座),新墨西哥州的Rio Rancho,以及爱尔兰的Leixlip。 “这个项目是英特尔首次将一座现有的200毫米晶圆厂完全转换为300毫米晶圆厂。”英特尔资深副总裁兼技术制造部总经理Bob Baker对此评论道。 目前为止,关于英特尔65纳米处理器以及生产这种处理器的晶圆厂的信息还很少,但凿岩机械是我们已经知道了一些这种新工艺制程的特性。未来的新处理器产品中最输液泵重要的核心技术包括英特尔的新型晶体管,应变硅技术,以及使用全新的低介电常数绝缘体的铜互连技术。 英特尔新的65纳米制程将会使晶体管的尺寸仅有35纳米,这将是世界上已经量产的最小的、性能最高的CMOS晶体管。作为比较,目前量产的最先进的晶体管,也就是在英特尔的Pentium 4 Prescott处理器中所使用的晶体管,尺寸为50纳米。更小且更快的晶体管能制造出速度更高的处理器。 英特尔已经在新的制程中集成了第二代应变硅技术。应变硅技术能够提供更高的驱动电流,在提高晶体管速度的同时仅增加2%的制造费用。 新的制程中集成了8个铜互连层,并且使用低介电常数(Low-K)绝缘体材料,从而增加芯片内的信号速度,同时降低芯片的功耗。 英特尔曾于2003年11月底展示了首个能工作的65纳米制程的硅片,并计划于2005年正式进入商业化生产阶段。最早使用65纳米制程生产的处理器可能会是“Tejas”,其内部的二级缓存将由90纳米制程时的1MB增加到2MB。Tejas处理器将采用全新的指令集、分支预测功能和超线程技术,支持64位计算技术,初期上市的工作频率将在4~4.2GHz之间。
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